TMR（隧道磁阻）效应的测量
TMR（隧道磁阻）效应的测量（PDF下载）
隧道磁电阻效应（Tunneling Magnetoresistance Effect, TMR 效应）是指，在两层强磁体之间夹着一层绝缘体的结构中，强磁体磁化方向不同会导致整体电 resistance 发生变化的现象。该效应已应用于磁头、下一代非易失性存储器等领域。在对隧道磁电阻效应的评估中，为了研究绝缘体层中电子的流动，会采用电流分光法。在观察电子流动的 I-V 特性（电流 - 电压特性）测量中，即使电流值在特定电压 V0 前后发生变化，由于变化幅度较小，也难以检测。因此，通过对 I-V 特性进行微分或二次微分处理，能更轻松地捕捉到这一变化。
● 由相对电流谱I-V特性（a）变化较小，而对电流变化进行微分的1次微分（b）或2次微分（c）则更易于观测特性变化。
● 在试样上施加叠加交流电压的直流电压，并使用测量电压。
● 使用叠加在样品上的交流信号频率作为锁相放大器的参考信号。
● 锁定放大器的输出为1次微分。通过利用锁定放大器的谐波测量功能，可进行参考信号的2倍频率测量（2次微分输出）。
● NF 锁相放大器.---可以通过微分电流变化来测量特性。
● 最大测量频率为 11 MHz，使叠加的交流信号能够获得更高的频率。
● 通过分数调波测量，可实现二次微分输出。
皖公网安备34011102003835号
